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Molecule & Material Synthesis Platform
in Nanotechnology Open Facilities

支援提供装置EQuipments

装置(設備群)名 メーカー
機種
仕様
人工超格子薄膜形成システム
(PLD)
誠南工業株式会社
PLO-020R
ArF レーザー:193nm, ave.100mJ
試料加熱:〜850℃
酸素分圧:10E-6〜5Pa
試料サイズ:max 1inch 
有機薄膜形成装置 誠南工業株式会社
VCH-020R
2Ch K-cell
試料サイズ:max 1inch
環境制御型走査型
プローブ顕微鏡システム
株式会社
 日立ハイテクサイエンス
Nanonavi II/SPA300HV
真空度:〜10E-5Pa、各種ガス雰囲気
分解能:0.3nm,
試料温度:-120〜300℃
液中観察可能
試料サイズ:max 2inch
薄膜X線回折装置 株式会社リガク
Ultima IV
インプレーンスキャンによる面内構造解析が可能
赤外・テラヘルツ
時間分解分光装置
日邦プレシジョン株式会社
Pulse IRS 2000-os
1ps以下の高時間分解能
フーリエ変換赤外分光光度計 日本分光株式会社
6100FV型 MCT-600
測定波長領域:
 0.7μ〜45μm
ナノ粒子解析装置
(ゼーターサイザー)
シスメックス株式会社
NANO-ZS
濃度0.1ppm〜40%/Wでの測定可能
位相変調型分光エリプソメーター 株式会社堀場製作所
UVISEL LT NIR-NNG
波長域190nm〜2100nm
誘導結合型RFプラズマ支援
スパッタ装置
ICP-RFスパッタ装置)
アルバック株式会社
MB02-5002
試料サイズ:max 2inch
 RFスパッタ装置  サンユー電子株式会社
SVC-700LRF
 試料サイズ:max 4inch
高温熱処理装置
(セラミクス電気管状炉)
誠南工業株式会社
ARF-30K 
真空度:〜10E-5Pa
温度:〜1000℃
紫外可視分光光度計 日本分光株式会社
V-550
190nm〜1100nmまでの分光分析が可能
1cmセル
反応性イオンエッチング装置 サムコ株式会社 
RIE-10NR 
試料サイズ:max 8inch
ガス種:Ar,CF4, O2 
走査型電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズSU9000 加速電圧:1〜30kV
二次電子像分解能:0.5nm(加速電圧30kV)
STEM分解能:0.34nm(加速電圧30kV)
走査型プローブ顕微鏡 日立ハイテクサイエンス
Nanonavi Real/E-sweep
AFM・MFM・KFM・電流マッピング対応
加熱・冷却対応温度制御ステージ
水平磁場印加システム対応:3000ガウス
試料サイズ:max 25mmφ、10mm t
 水平磁場印加システム取付時は
  max6mmφ、5mm t
二次イオン質量分析
ナノデバイス加工システム
伯東
IBE-KDC75-EPD-OU-TA
チャンバー:ステンレス製、冷却機能付
ステージ:直冷式、1 cm角〜4インチウエハまで搭載可能
エッチング均一性 ≦±6%
四重極質量分析計終点検知器付
接触式膜厚測定器 BURUKER
DektakXT 
測定レンジ:1mm
測定再現性:5Å
イオン化ポテンシャル測定装置 分光計器 
イオン化エネルギー測定部
BIP-KV202GD
エネルギー走査範囲:3.1 〜9.0 eV
真空度:1E-2 Pa(ガス置換可能)
D2ランプ/Xeランプ手動切り替え機構
レーザーラマン顕微鏡 ナノフォトン
RAMAN-touch
レーザー:532nm(500mW)、785(500mW)
回折格子:300,600,1200gr/mm
空間分解能:XY;350nm、Z;800nm
電流密度測定装置 分光計器 
電流密度分布評価測定部BIP-KV302K
分解能:100μm
レーザー光源:532nm
  (10mW・両面照射可)

ナノテクノロジー設備供用拠点

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘7-1
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター内
TEL 06-6879-7941
(微細構造解析プラットフォーム)

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘8-1
大阪大学産業科学研究所内
TEL 06-6879-4654
(微細加工プラットフォーム)
TEL 06-6879-4309
(分子・物質合成プラットフォーム)