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Nanofabrication Platform
in Nanotechnology Open Facilities

深掘りエッチング装置RIE-400iPB

深掘りエッチング装置

サムコ社製 RIE-400iPB

【仕様】

 試料サイズ:max 4inch
 プロセスガス:CF4,C4F8,CHF3,SF6,O2, Ar

【特徴】
 放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用したMEMS、電子部品用途のボッシュプロセスに対応した高速シリコンディープエッチング装置です。


ナノテクノロジー設備供用拠点

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘7-1
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター内
TEL 06-6879-7941
(微細構造解析プラットフォーム)

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘8-1
大阪大学産業科学研究所内
TEL 06-6879-4654
(微細加工プラットフォーム)
TEL 06-6879-4309
(分子・物質合成プラットフォーム)