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Nanofabrication Platform
in Nanotechnology Open Facilities

深掘りエッチング装置RIE-400iPB

深掘りエッチング装置

サムコ社製 RIE-400iPB

【特徴】
誘電結合方式(ICP)を採用したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置。
1分間に10um以上のSiエッチングが可能。
MEMS、電子部品等に求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した装置。

【仕様】
 試料サイズ:max 4inch
 プロセスガス:CF4, C4F8, CHF3, SF6, O2, Ar


ナノテクノロジー設備供用拠点

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘7-1
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター内
TEL 06-6879-7941
(微細構造解析プラットフォーム)

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘8-1
大阪大学産業科学研究所内
TEL 06-6879-4654
(微細加工プラットフォーム)
TEL 06-6879-4309
(分子・物質合成プラットフォーム)